осаждение накипи - tradução para Inglês
Diclib.com
Dicionário ChatGPT
Digite uma palavra ou frase em qualquer idioma 👆
Idioma:

Tradução e análise de palavras por inteligência artificial ChatGPT

Nesta página você pode obter uma análise detalhada de uma palavra ou frase, produzida usando a melhor tecnologia de inteligência artificial até o momento:

  • como a palavra é usada
  • frequência de uso
  • é usado com mais frequência na fala oral ou escrita
  • opções de tradução de palavras
  • exemplos de uso (várias frases com tradução)
  • etimologia

осаждение накипи - tradução para Inglês

Химическое парофазное осаждение; Химическое осаждение из паровой фазы; Химическое осаждение паров; CVD-процесс; ХОГФ
  • углеродных нанотрубок]] в лабораторной установке PECVD (Plasma Enhanced CVD).
  • [[Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы]]
  • Схема термического химического осаждения из газовой фазы в камере с горячими стенками

осаждение накипи      

The deposition of scale on boiler tube surfaces ...

осадок         
  • Схема показывающая разницу между раствором, суспензией, осадком и надосадочной жидкостью
осадок         
  • Схема показывающая разницу между раствором, суспензией, осадком и надосадочной жидкостью
m.
sediment, deposit

Definição

ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
получение твердых веществ с помощью химических реакций, в которых участвуют газообразные реагенты. Используют для получения текстурированных покрытий, монокристаллов, эпитаксиальных и монокристаллических пленок (напр., в планарной технологии), нитевидных монокристаллов ("усов"), барьерных слоев (предотвращающих разрушение покрытий на соплах ракет), при изготовлении различных изделий сложной конфигурации и др.

Wikipédia

Химическое осаждение из газовой фазы

Хими́ческое осажде́ние из га́зовой фа́зы (ХОГФ) (химическое парофазное осаждение, англ. Chemical vapor deposition, CVD) — процесс, используемый для получения высокочистых твёрдых материалов. Процесс часто используется в индустрии полупроводников для создания тонких плёнок. Как правило, при процессе CVD подложка помещается в пары одного или нескольких веществ, которые, вступая во взаимные реакции и/или разлагаясь, формируют на поверхности подложки слой необходимого вещества. Побочно часто образуется также газообразные продукты реакции, выносимые из камеры осаждения потоком газа-носителя.

С помощью CVD-процесса производят материалы различных структур: монокристаллы, поликристаллы, аморфные тела и эпитаксиальные. Примеры материалов: кремний, углеродное волокно, углеродное нановолокно, углеродные нанотрубки, графен, SiO2, вольфрам, карбид кремния, нитрид кремния, нитрид титана, различные диэлектрики, а также синтетические алмазы.

Como se diz осаждение накипи em Inglês? Tradução de &#39осаждение накипи&#39 em Inglês